| Диапазон индуктивности | 1 мГн...10 Гн (4 декады) |
| Погрешность | (при 1 кГц) ±3 % от уст.зн. |
| Минимальное сопротивление | < 0,2 Ом |
| Минимальная индуктивность | < 1 мкГн |
| Максимальный ток (подекадный) | 1 мГн: 30 мА
10 мГн: 70 мА
100 мГн: 100 мА
1 Гн: 150 мА |
| Сопротивление (подекадное) | 1 мГн: 0,1 Ом
10 мГн: 0,5 Ом
100 мГн: 3,4 Ом
1 Гн: 20,5 Ом |
| Типовая «добротность» (подекадная при 1 кГц) | 1 мГн: 75
10 мГн: 175
100 мГн: 280
1 Гн: 250 |
| Максимальное напряжение | 30 Вскв АС (непереключающее) |
| Габаритные размеры | 245(Д) х 62(Ш) х 100(В) мм |
| Масса | 0,8 кг |